SJ 1549-1979 硅外延片(暂行).pdf
-
资源ID：204593
资源大小：138.92KB
全文页数：6页
- 资源格式： PDF
下载积分：5000积分
快捷下载
账号登录下载
微信登录下载
下载资源需要5000积分（如需开发票，请勿充值！）
|
友情提示
2、PDF文件下载后，可能会被浏览器默认打开，此种情况可以点击浏览器菜单，保存网页到桌面，就可以正常下载了。
3、本站不支持迅雷下载，请使用电脑自带的IE浏览器，或者360浏览器、谷歌浏览器下载即可。
4、本站资源下载后的文档和图纸-无水印,预览文档经过压缩，下载后原文更清晰。
5、试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。
|
SJ 1549-1979 硅外延片(暂行).pdf
1、中华人民共和四标SJ 1549 79 (暂行)北京1 980 工业中华外标片一-一-，SJ 1549 79 1 一_J本标准适用于面用的N/TtP/P +结构的外延片。、尺寸1. 1 N/N +、P/P +磁外延片电批最小标电粤率Q. cm 项目钮0.1 .;0.3 。.31.01.012m(最小标称值时，213 半径的同心圆内允许有二个麻坑，整片允讯有五个麻坑。( 4 )方片在内切圃2/3半径的同心圆内不允许有划痕和麻坑，同心圆外不允许有大于半径的划痕，允许有一条小于半径的划痕，两个麻坑。2. 1. 2检验方法:按SJ 1550一79第4条规定进行。2.2电阻率2.2.1要求z电阻率应符合本
2、标准1.1条表12.2.2检验方法:按SJ1550一79第1条规定进行。2.3 。SJ 1549一79共5页第3页2.3.1要求2层厚度应符合本标准1.2条表2的2.3.2检扭/Ja;: 按SJ1550一79第2条规定进行。外延层厚度的片允许偏差可按五点(中心一点及三条互相垂直的中心线上i边缘4mm处4点的测量值来计算。2.4层错密度和位错密度2.4.1要求g层错密度、位错密度应符合本标准1.3条的规定。2.4.2 按S11550-2.5夹层3条规定进行。2.5.1要求z在0.5mA下测量时，其夹层电压应小于100V。2.5.2检验方法g1 1550一79第5条规定进行。2.6对衬底单晶的要求
3、2.6.1衬底单晶的掺杂剂及电阻率应符合表3: 外延片结构材底单品掺杂JliJ电阻事，Q-cm镑;0.009 N/N+ 伸0.005 P/p+ 跚;0.006 2.6.2衬底单晶位错密度100时，任意抽取四片进行检测，如合格品数2，则该批为合格品，否则应再搞皿片进行检测，如全部合格，则该批的为合格品，否则为不合格品。唾.包膏、4. 1包装硅外延片按易碎品包装。采用清洁、柔软、无腐蚀性、无硬粒的纸张，将片子分开包好，装入聚乙烯薄膜袋或纸袋内，袋内应放入盖有技术检验部门印章的合格证，合格证上应注明z( 1 )产品名称g( 2 )产品数量p( 3 )产品参数电( 4 )尺寸，( 5 )生产日期( 6 )生产单位。4.2 、SJ 1549 79 共5页第5页度、层错密度、位错密度)14.2. 1包装好的硅外延片应装入包装箱内，包装箱表团应按GB191一73包装储运指示标志的规定，标明小心轻放等字样或标记。4.2.2装有硅外延片的包装箱允许用任何工具运输。运输中应避免雨雪的淋袭和机械4.3储存硅外延片应贮存在环境温度为一10-+40(;，相环境不应有酸性、碱性或其他有害气氛存在的库房内。不大于80%，周围
