1、窜ICS 71.040.50 G 04 中华人民共和国国家标准GB/T 19501-2013 代替GB/T19501-2004 电子背散射衍射分析方法通则微束分析Microbeam analysis-General guide for electron backscaUer diffraction analysis 2014-03-01实施2013-07-19发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检蔑总局中国国家标准化管理委员会孔，们F队/问。一时f脚相J 目。昌本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草.本标准代替GB/T19501-2004 MeO+H20+2e直接。N+回OEA|
2、V当40H一一02+2H2o+4e氧释放D .1唱Me-Mez+2e 有利的抛光范围c rc出现薄膜层A NE-4飞Hmh回国踊哥抛光普查蚀电压/v典型的电解抛光曲线圄A.2几种常用金属电解抛光参数抛光规范金属材料名称电解液成分电流密度直流电压温度备注时间A. cm-2 V 高氨酸54 mL 碳钢、不锈钢酒精750 mL 0.3-1. 3 8-20 室温20 5-60 5 水146 mL 硝酸100 mL 铜及铜合金0.75-1. 5 40-50 20-30 605 甲E事200 mL 钱合金AC-2 20 室温605 镶合金专用抛光液磷酸400 mL 4 min-侯铝合金酒精380 mL 0
3、.35 50-60 42-45 6 min 水250 钦及铁合金A3 35-45 18-20 205-305 铁合金专用抛光液一表A.1离子溅射离子溅射减薄可以去除金属或非金属材料研磨抛光中形成的加工形变层。离子溅射仪用Ar离子束作轰击试样表面，所得试样表面无磨料污染、无划痕、损伤小，适用于难抛光的软材料，例如Cu、Al、8 A.8 GB/T 19501-2013 Au、焊料及聚合物等F也适用于难加工的硬材料如陶瓷、玻璃等，以及软、硬组合的多层材料断面制备。聚焦离子束(FIB)技术是将微分析与微加工相结合的新技术，双束FIB仪器具有把离子束和电子束聚焦到试样表面同一区域的能力，可以实现在真空下
4、的原位试样制备与分析。因此，FIB适用于那些极活泼的或者易氧化的、采用普通方法不易制备的试样制备。要注意离子蚀刻、溅射形成的非晶化表面及离子注人对EBSD分析结果的影响。A.9 非导电试样制备对于非导电试样，由于荷电效应引起电子柬的漂移，很难进行EBSD测试，可以通过喷镀薄的导电膜来防止电荷积累。如选择碳导电膜，镀厚度为2nm20 nm;如果采用高原子序数的材料(如金、金缸、鸽制备导电镀层，那么只需要非常薄(大约1nm)的镀层厚度。也可将试样加工成尺寸小于2mm X2mm的小块，并降低人射电子加速电压，以降低荷电效应。低真空扫描电镜或环境扫描电镜)可直接分析没有喷镀导电膜的非导电材料，试样表面
5、也不会有电荷聚集现象。9 GB/T 19501-2013 参考文献lJ Randle V , Electron Backscatter Diffraction, Guide Book Series, Published by Oxford In struments, Microanalysis Group, 1994. 2J K. Z. Baba-Kishi and D. J. Dingley, Application of Backscatter Kikuchi Diffraction in the Scanning Electron Microscope, 1989 , J. Appl.
6、Cryst. , Vol. 22 , 189-200. 3J 杨平.电子背散射衍射技术及其应用.北京z冶金工业出版社，2007.4J 陈家光，李忠.电子背散射衍射在材料科学研究中的应用.理化检验(物理分册), 2000 , Vol. 36(2) , 71-74. 10 的FON-ommFH阁。华人民共和国家标准电子背散射衍射分析方法通则GB/T 19501-2013 国中微束分街* 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里凋北街16号10004日网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部:(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销 开本880X 1230 1/16 印张1字数22千字2013年10月第一版2013年10月第一次印刷* 书号:155066. 1-47525定价18.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107打印日期:2013年10月30日F002
