GB T 3430-1989 半导体集成电路型号命名方法.pdf
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GB T 3430-1989 半导体集成电路型号命名方法.pdf
1、中华人民共和标准半导体集成电路型号命名方法内容与适本标准规定了The rule of type designation for semiconductor integrated circuits 电路型号的命名方法。本标准适用于按半导体件)。成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集2 型号的组成器件的型号由五个部分组成，其五个组成部分的符号及下t第0第一部分用字母表示器件用字母的类型符合国符号|意义|符号|意义c 加舍国家标准IT TTL电路H I HTL E I ECL电路C I CMOS电路M |假型机电路F I线性放大器w B I非线性电路J I接口AD I A/D转换器DA I D/
2、A转换D I音响、电视电SC I通讯专用电路ss 电路sw I钟表电路第二部分阿拉伯数列和品中华人电子工业部1989-03-31批准第三部分用字母表示GB 3430 89 代替GB3430 82 电路(以下简称第四部分1990-04-01实3 示例3. 1 肖特基TTL双4输入与非门C T 54S20 M D 3.2 4 000系列CMOS四双向开关C C 4066 E J 3.3通用C F 741 C T GB 3430 89 多层陶瓷双列直插封装(第四部分)-5Sr12SC (第二部分肖特基系列双4输入与非门(第二部分)-L由路(第一部分)符合国家标准(第0部分)、瓷双列(第四部分)40 8S.C (第三部分)4 000系列四双向开关(第二部分)MOS电路第一部分符合国家标准(第0部分)形封装(第四部分)0-70.C (第三部分)通用型运算放大器(第二部分)线性放大器(第一部分)符合国家标准(第0部分)GB 3430 89 附加说明:本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。本标准由机械电子工业部第四研究所负川rc;rj 0 本标准于1982年12月首次发布，1989年3月第1次。
