1、 ICS 27.160 F 12 DB61 陕西省 地方标准 DB 61/ T 512 2011 太阳电池用单晶硅片检验规则 2011 - 04 - 20发布 2011 - 05 - 01实施 陕西省质量技术监督局 发布 DB61/ T 512 2011 I 前 言 本标准 参考 SEMI M6 2008 太阳光伏电池用硅片规范 、 GB/T 12965 2005硅单晶切割片和研 磨片，结合国内外晶体硅片 现状 及 发展趋势制 定 。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由 陕西省工业和信息化厅 归口。 本标准由 陕西电子信息集团有限公司 、 陕西电子信息集团西安烽火光伏科技股份 有
2、限公司 、 陕西华 山半导体材料有限责任公司 、 西安隆基硅材料股份有限公 司共同 负责起草。 本标准主要起草人 ：牛军旗 、 柳军、李拉平、孙 涛、王帅、焦致雨 、 皇甫国 、 张超 、 赵可武 。 本标准 由 陕西省工业和信息化厅 负责解释 。 本标准为首次发布。 DB61/ T 512 2011 1 太阳电池用单晶硅片检验规则 1 范围 本标准规定了 太阳电池用 单晶 硅片 技术要求、试验方法 和 检验规则等内容。 本标准适用于 太阳电池用 单晶硅片（以下简称硅片） 的 检验。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件
3、。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1553 2009 硅和锗体内少数载流子寿命光 测定 电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第 1部分 :按接收质量限 (AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T 6618 2009 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T 6619 2009 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6
4、620 硅片翘曲度 非接触式测试方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 SEMI MF1535 2007 微波反射 无接触光电导衰退测量硅片 载流子复合寿命 测试 方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本 文件 。 3.1 线痕 saw mark 硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。 3.2 径向电阻率变化 radial resistivity tolerance 晶片中心点与偏离 晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点（典型设置点是晶片半径的 1/2处或 靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值，以百分数 表示。又称径向电阻率梯度。
5、 3.3 晶片厚度 thickness of slices DB61/ T 512 2011 2 晶片中心点的厚度。对于本标准为硅片厚度。 3.4 总厚度变化（ TTV） total thickness variation 晶片 厚度的最大 值 与最小 值间 的差。 4 技术要求 4.1 表面质量 表面质量要求见表 1。 表 1 硅片表面质量 项目 最大缺陷限度 备注 线 痕 20 m 外缘 1 mm范围除外 。 表面 沾污 无 边缘 每片 2个， 圆周弦长 最大到 0.1 mm，深 0.1 mm 不接受 贝壳状崩边。 崩边 /缺口 裂缝 /鱼尾纹 无 4.2 机械性能 4.2.1 规格及尺寸
6、 一般为准正方形硅片，规格 125 mm 125 mm型、 156 mm 156 mm型，如图 1所示 。尺寸要求见 表 2， 或者 根据实际使用 ， 供需双方商定。 图 1 DB61/ T 512 2011 3 表 2 硅片 尺寸 规 格 A（边长） /mm B（标称直径） /mm C（弦长） a /mm D（倒角投影） a /mm E（相邻面垂直度） 6 125 0.3 150 0.3 82.9 21.05 90 0.3 6.5 125 0.3 165 0.3 107.7 8.66 8 156 0.3 200 0.3 125.1 15.43 注： 标称直经是指准方形单晶硅棒滚圆后的直径。亦
7、可由供需双方协商确定。 a 为参考尺寸。 4.2.2 硅片 厚度和总厚度变化 硅片厚度应在 140 m 240 m的范围 ， 用户有特殊要求时，由供需双方商定。总厚度变化（ TTV） 不大于 30 m。 4.2.3 弯曲度 硅片弯曲度不大于 30 m。 4.2.4 翘曲度 硅片 翘曲度 不大于 75 m。 4.3 电性能要求 4.3.1 电阻率 硅片电阻率要求见表 3。 4.3.2 径向电阻率变化 硅片径向电阻率变化要求见 表 3。 表 3 电性能参数 导电类型 电阻率 / cm 径向电阻率变化 /% 少数载流子寿命 / s 晶向及偏离度 P 一档 二档 15 10 1 0.5 1 1 3 N
8、 1.5 20 20 50 100 1 注： 本表中少数载流子寿命值是经过钝化的测试值。 4.3.3 导电类型 硅单晶 导电类型要求见表 3。 4.3.4 少数载流子寿命 硅单晶 少数载流子寿命要求见表 3。 4.4 晶体完整性 DB61/ T 512 2011 4 硅单晶 晶体完整性由 位错密度 指标反映，其 位错密度应不大 于 3000个 /平方厘米 。 4.5 晶向及偏离度 硅单晶 晶向 及偏离度 要求见表 3。 5 试验方法 5.1 表面质量 在检验面光照度不小于 800 Lx、 硅片距双眼约 30 cm 50 cm距离条件下， 用游标卡尺（ 精度 0.02 mm） 测量 或目测 。
9、5.2 规格 及 尺寸 规格 及 尺寸 用游标卡尺（ 精度 0.02 mm）、 直角尺、塞尺等 测量 。 5.3 硅片厚度和总厚度变化 硅片厚度和总厚度变化 按 GB/T 6618 2009的 3.2扫描式测量。 5.4 弯曲度 硅片 弯曲度按 GB/T 6619 2009的方法 2 非接触式测量 。 5.5 翘曲度 硅片 翘曲度 测量 按 GB/T 6620规定 的方法进行 。 5.6 电阻率 硅 片电阻率 测量 按 GB/T 6617规定的方法进行 。 5.7 径向电阻率变化 硅 片径向电阻率变化 测量 按 GB/T 11073规定的方法进行 。 5.8 导电类型 硅单晶 导电类型 测试
10、按 GB/T 1550 1997的方法 A 热探针 、 热电势导电类型测试方法 进行 。 5.9 少数载流子寿命 少数载流子寿命 测试 按 GB/T 1553 2009附录 A 高频光电导衰减法 或 SEMI MF 1535 2007规定的 方法进行 。 5.10 晶体完整性 硅单晶 晶体完整性 测试 按 GB/T 1554规定的方法进行 。 5.11 晶向 及偏离度 硅单晶 晶向 及偏离度 测试 按 GB/T 1555 2009的方法 1 X射线衍射定向法 进行 。 DB61/ T 512 2011 5 6 检验 规则 6.1 组批 硅片 以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的 硅
11、片 组成。 6.2 抽样 按 GB/T 2828.1规定的 一次抽样方案，其它 项目 如表 4所示，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。 6.3 出厂检验 出厂检验项目 包括 硅片表面质量、规格及尺寸、 厚度和总厚度变化 、电阻率、径向电阻率变化 （见 表 4）。产品应经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂。 6.4 型式检验 型式检验包括 本标准规定的全部检验项目（见表 4），型式检验每年应进行 1次。有下列情况之一 时， 亦应进行型式检验： a) 新产品 投产 鉴定或鉴定新产品转厂生产时； b) 正常生产而 原 材料、工艺 、关键设备 等有较大改变 ，可能影响产品质量 时； c
12、) 产品 停产 半年 以上 ， 恢复生产时； d) 供需双方发生产品质量争议需要仲裁 时 ； e) 国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时 。 表 4 检验项目及合格质量水平 序号 检验项目 型式检验 出厂检验 技术要求 试验方法 检验水平 合格质量限 (AQL) 1 硅片表面质量 4.1 5.1 II 2.5 2 规格及尺寸 4.2.1 5.2 II 1.0 3 硅片厚度和总厚度变化 4.2.2 5.3 4 硅片弯曲度 4.2.3 5.4 5 硅片翘曲度 4.2.4 5.5 6 硅片电阻率 4.3.1 5.6 7 硅片径向电阻率变化 4.3.2 5.7 8 硅单晶 导电类型 a 4.3
13、.3 5.8 9 硅单晶 少数载流子寿命 4.3.4 5.9 S-2 1.0 10 硅单晶 晶体完整性 a 4.4 5.10 11 硅单晶 晶向及偏离度 a 4.5 5.11 注： 为必检项目；为选检项目。 a由硅棒技术要求来保证。 6.5 判定规则 6.5.1 硅片出厂检验按 GB/T 2828.1规定的 一次抽样方案，其检验水平、合格质量限 (AQL)见表 4。 DB61/ T 512 2011 6 出厂 检验的项目全部合格，则该检验批合格，产品可交付，否则 出厂 检验不合格，产品不能交付。 抽检不合格的产品 批 ，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可重新组批 、 提交检 验 。 6.5.2 硅片型式检验按 GB/T 2828.1规定的 一次抽样方案，其检验水平、合格质量水平 (AQL)见表 4。 型式检验 所有项目全部合格，则判定型式检验合格，否则型式检验不合格。 若型式 检 验不合格，则判 定 本 批产品不合格，针对不合格批产品，查明原因、采取纠正措施后，重新进行型式检验。 _
