1、计算机学科专业基础综合组成原理-16 及答案解析(总分：100.00，做题时间：90 分钟)一、单项选择题(总题数：33，分数：66.00)1.下列各类存储器中，不采用随机存取方式的是_。（分数：2.00）A.EPROMB.CD-ROMC.DRAMD.SRAM2.磁盘属于_类型的存储器。（分数：2.00）A.随机存取存储器(RAM)B.只读存储器(ROM)C.顺序存取存储器(SAM)D.直接存取存储器(DAM)3.存储器的存取周期是指_。（分数：2.00）A.存储器的读出时间B.存储器的写入时间C.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔D.存储器进行一次读或写操作所需的平均时间4.设机器
2、字长为 32 位，一个容量为 16MB 的存储器，CPU 按半字寻址，其可寻址的单元数是_。 A.224 B.223 C.222 D.221（分数：2.00）A.B.C.D.5.相联存储器是按_进行寻址的存储器。（分数：2.00）A.地址指定方式B.堆栈存储方式C.内容指定方式和堆栈存储方式相结合D.内容指定方式和地址指定方式相结合6.某计算机系统，其操作系统保存在硬盘上，其内存储器应该采用_。（分数：2.00）A.RAMB.ROMC.RAM 和 ROMD.都不对7.在下列几种存储器中，CPU 不能直接访问的是_。（分数：2.00）A.硬盘B.内存C.CacheD.寄存器8.若某存储器存储周期
3、为 250ns，每次读出 16 位，则该存储器的数据传输率是_。 A.4106B/s B.4MB/s C.8106B/s D.8220B/s（分数：2.00）A.B.C.D.9.设机器字长为 64 位，存储容量为 128MB，若按字编址，它可寻址的单元个数是_。（分数：2.00）A.16MBB.16MC.32MD.32MB10.计算机的存储器采用分级方式是为了_。（分数：2.00）A.方便编程B.解决容量、速度、价格三者之间的矛盾C.保存大量数据方便D.操作方便11.计算机的存储系统是指_。（分数：2.00）A.RAMB.ROMC.主存储器D.Cache、主存储器和外存储器12.在多级存储体系
4、中，“Cache主存”结构的作用是解决_的问题。（分数：2.00）A.主存容量不足B.主存与辅存速度不匹配C.辅存与 CPU 速度不匹配D.主存与 CPU 速度不匹配13.存储器分层体系结构中，存储器从速度最快到最慢的排列顺序是_。（分数：2.00）A.寄存器主存Cache辅存B.寄存器主存辅存CacheC.寄存器Cache辅存主存D.寄存器Cache主存辅存14.在 Cache 和主存构成的两级存储体系中，主存与 Cache 同时访问，Cache 的存取时间是 100ns，主存的存取时间是 1000ns，如果希望有效(平均)存取时间不超过 Cache 存取时间的 115%，则 Cache 的
5、命中率至少应为_。（分数：2.00）A.90%B.98%C.95%D.99%15.下列关于多级存储系统的说法中，正确的有_。 多级存储系统是为了降低存储成本 虚拟存储器中主存和辅存之间的数据调动对任何程序员是透明的 CPU 只能与 Cache 直接交换信息，CPU 与主存交换信息也需要经过 Cache（分数：2.00）A仅B.仅和C.、和D仅16.某一 SRAM 芯片，其容量为 10248 位，除电源和接地端外，该芯片的引脚的最小数目为_。（分数：2.00）A.21B.22C.23D.2417.某存储器容量为 32K16 位，则_。（分数：2.00）A.地址线为 16 根，数据线为 32 根B
6、.地址线为 32 根，数据线为 16 根C.地址线为 15 根，数据线为 16 根D.地址线为 15 根，数据线为 32 根18.若 RAM 中每个存储单元为 16 位，则下面所述正确的是_。（分数：2.00）A.地址线是 16 位B.数据线是 16 位C.指令长度是 16 位D.以上说法都不正确19.DRAM 的刷新是以_为单位的。（分数：2.00）A.存储单元B行C列D.存储字20.动态 RAM 采用下列哪种刷新方式时，不存在死时间_。（分数：2.00）A.集中刷新B.分散刷新C.异步刷新D.都不对21.下面是有关 DRAM 和 SRAM 存储器芯片的叙述： DRAM 芯片的集成度比 SR
7、AM 高 DRAM 芯片的成本比 SRAM 高 DRAM 芯片的速度比 SRAM 快 DRAM 芯片工作时需要刷新，SRAM 芯片工作时不需要刷新 通常情况下，错误的是_。（分数：2.00）A.和B.和C.和D.和22.下列说法中，正确的是_。（分数：2.00）A.半导体 RAM 信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B.DRAM 是易失性 RAM，而 SRAM 中的存储信息是不易失的C.半导体 RAM 是易失性 RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的D.半导体 RAM 是非易失性的 RAM23.关于 SRAM 和 DRAM，下列叙述中正确的是_。（分数：2.00）A.通常 SRAM 依靠电
8、容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为 1，无电荷为 0B.DRAM 依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储 0 和 1C.SRAM 速度较慢，但集成度稍高；DRAM 速度稍快，但集成度低D.SRAM 速度较快，但集成度稍低；DRAM 速度稍慢，但集成度高24.某一 DRAM 芯片，采用地址复用技术，其容量为 10248 位，除电源和接地端外，该芯片的引脚数最少是_(读写控制线为两根)。（分数：2.00）A.16B.17C.19D.2125.某容量为 256MB 的存储器由若干 4M8 位的 DRAM 芯片构成，该 DRAM 芯片的地址引脚和数据引脚总数是_。（分数：2.00）A.19B.22C
9、.30D.3626.下列有关 RAM 和 ROM 的叙述中，正确的是_。 RAM 是易失性存储器，ROM 是非易失性存储器 RAM 和 ROM 都是采用随机存取的方式进行信息访问 RAM 和 ROM 都可用做 Cache RAM 和 ROM 都需要进行刷新（分数：2.00）A.仅和B.仅和C.仅、和D.仅、和27.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是_。（分数：2.00）A.信息可读可写，并且读、写速度一样快B.存储元由 MOS 管组成，是一种半导体存储器C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器28.下列几种存储器中，_是易失
10、性存储器。（分数：2.00）A.CacheB.EPROMC.Flash MemoryD.CD-ROM29.U 盘属于_类型的存储器。（分数：2.00）A.高速缓存B.主存C.只读存储器D.随机存取存储器30.某计算机系统，其操作系统保存于硬盘上，其内存储器应该采用_。（分数：2.00）A.RAMB.ROMC.RAM 和 ROMD.均不完善31.下列说法正确的是_。（分数：2.00）A.EPROM 是可改写的，故而可以作为随机存储器B.EPROM 是可改写的，但不能作为随机存储器C.EPROM 是不可改写的，故而不能作为随机存储器D.EPROM 只能改写一次，故而不能作为随机存储器32.下列哪些
11、是动态半导体存储器的特点_。 在工作中存储器内容会产生变化 每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍 一次完整的刷新过程需要占用两个存储周期 一次完整的刷新过程只需要占用一个存储周期（分数：2.00）A.、B.、C.、D.只有33.下列存储器中，在工作期间需要周期性刷新的是_。（分数：2.00）A.SRAMB.SDRAMC.ROMD.FLASH二、综合应用题(总题数：4，分数：34.00)34.某个两级存储器系统的平均访问时间为 12ns，该存储器系统中顶层存储器的命中率为 90%，访问时间是 5ns，问：该存储器系统中底层存储器的访问时间是多少(假设采用同时访问两层存储器的方式)? （分数
12、：4.00）_CPU 执行一段程序时，Cache 完成存取的次数为 1900 次，主存完成存取的次数为 100 次，已知 Cache 存取周期为 50ns，主存存取周期为 250ns。设主存与 Cache 同时访问，试问：（分数：10.00）(1).Cache/主存系统的效率。（分数：5.00）_(2).平均访问时间。（分数：5.00）_在显示适配器中，用于存放显示信息的存储器称为刷新存储器，它的重要性能指标是带宽。具体工作中，显示适配器的多个功能部分要争用刷新存储器的带宽。设总带宽 50%用于刷新屏幕，保留 50%带宽用于其他非刷新功能，且采用分辨率为 1024768 像素，颜色深度为 3B
13、，刷新频率为 72Hz 的工作方式。（分数：10.00）(1).试计算刷新存储器的总带宽。（分数：5.00）_(2).为达到这样高的刷新存储器带宽，应采取何种技术措施?（分数：5.00）_一个 1K4 位的动态 RAM 芯片，若其内部结构排列成 6464 形式，且存取周期为 0.1s。（分数：10.00）(1).若采用分散刷新和集中刷新(即异步刷新)相结合的方式，刷新信号周期应取多少?（分数：5.00）_(2).若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?（分数：5.00）_计算机学科专业基础综合组成原理-16 答案解析(总分：100.00，做题时间：90 分钟)一、单项
14、选择题(总题数：33，分数：66.00)1.下列各类存储器中，不采用随机存取方式的是_。（分数：2.00）A.EPROMB.CD-ROM C.DRAMD.SRAM解析：解析 随机存取方式是指 CPU 可以对存储器的任一存储单元中的内容随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。选项 A、C、D 均采用随机存取方式，CDROM 即光盘，采用串行存取方式。注意，CD-ROM 是只读型光盘存储器，其访问方式是顺序访问，不属于只读存储器(ROM)。2.磁盘属于_类型的存储器。（分数：2.00）A.随机存取存储器(RAM)B.只读存储器(ROM)C.顺序存取存储器(SAM)D.直接存取存储器(DAM
15、) 解析：解析 磁盘属于直接存取存储器，其速度介于随机存取存储器和顺序存取存储器之间，而选项 D指的是存取时间。3.存储器的存取周期是指_。（分数：2.00）A.存储器的读出时间B.存储器的写入时间C.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔 D.存储器进行一次读或写操作所需的平均时间解析：解析 存取时间(T a )指从存储器读出或者写入一次信息所需要的平均时间；存取周期(T c )指连续两次访问存储器之间所必需的最短时间间隔。对 T c 一般有：T c =T a +T r ，其中 T r 为复原时间；对 SRAM 指存取信息的稳定时间，对 DRAM 指刷新的又一次存取时间。4.设机器字长
16、为 32 位，一个容量为 16MB 的存储器，CPU 按半字寻址，其可寻址的单元数是_。 A.224 B.223 C.222 D.221（分数：2.00）A.B. C.D.解析：解析 16MB=2 24 B，由于字长为 32 位，现在按半字(16 位=2B)寻址，故可寻址的单元数为 2 24 B/2B=2 23 。5.相联存储器是按_进行寻址的存储器。（分数：2.00）A.地址指定方式B.堆栈存储方式C.内容指定方式和堆栈存储方式相结合D.内容指定方式和地址指定方式相结合 解析：解析 相联存储器的基本原理是把存储单元所存内容的某一部分作为检索项(即关键字项)去检索该存储器，并将存储器中与该检索
17、项符合的存储单元内容进行读出或写入。所以它是按内容或地址进行寻址的，价格较为昂贵。一般用来制作 TLB、相联 Cache 等。6.某计算机系统，其操作系统保存在硬盘上，其内存储器应该采用_。（分数：2.00）A.RAMB.ROMC.RAM 和 ROM D.都不对解析：解析 操作系统保存在硬盘上，首先需要将其引导到主存中，而引导程序通常存放在 ROM 中，程序运行时需要进行读写操作，因此应采用 RAM。7.在下列几种存储器中，CPU 不能直接访问的是_。（分数：2.00）A.硬盘 B.内存C.CacheD.寄存器解析：解析 CPU 不能直接访问硬盘，需先将硬盘中的数据调入内存才能被 CPU 所访
18、问。8.若某存储器存储周期为 250ns，每次读出 16 位，则该存储器的数据传输率是_。 A.4106B/s B.4MB/s C.8106B/s D.8220B/s（分数：2.00）A.B.C. D.解析：解析 计算的是存储器的带宽，每个存储周期读出 16bit=2B，故而数据传输率是 2B/(25010 -9 s)，即 810 6 B/s。本题中 8MB/s 是 810241024B/s。 通常，数据传输率中的 M 指的是 10 6 而非 2 20 ，一般二进制表示的 K、M 仅用于存储容量相关计算。9.设机器字长为 64 位，存储容量为 128MB，若按字编址，它可寻址的单元个数是_。（
19、分数：2.00）A.16MBB.16M C.32MD.32MB解析：解析 机器字长位 64 位，即 8B，按字编址，故可寻址的单元个数是 128MB/8B=16M。10.计算机的存储器采用分级方式是为了_。（分数：2.00）A.方便编程B.解决容量、速度、价格三者之间的矛盾 C.保存大量数据方便D.操作方便解析：解析 存储器有 3 个主要特性：速度、容量和价格/位(简称位价)。存储器采用分级方式是为了解决这三者之间的矛盾。11.计算机的存储系统是指_。（分数：2.00）A.RAMB.ROMC.主存储器D.Cache、主存储器和外存储器 解析：解析 计算机的存储系统包括 CPU 内部寄存器、Ca
20、che、主存和外存。12.在多级存储体系中，“Cache主存”结构的作用是解决_的问题。（分数：2.00）A.主存容量不足B.主存与辅存速度不匹配C.辅存与 CPU 速度不匹配D.主存与 CPU 速度不匹配 解析：解析 Cache 中的内容只是主存内容的部分副本(拷贝)，因而“Cache主存”结构并没有增加主存容量，是为了解决主存与 CPU 速度不匹配的问题。13.存储器分层体系结构中，存储器从速度最快到最慢的排列顺序是_。（分数：2.00）A.寄存器主存Cache辅存B.寄存器主存辅存CacheC.寄存器Cache辅存主存D.寄存器Cache主存辅存 解析：解析 在存储器分层结构中，寄存器在
21、 CPU 中，因此速度最快，Cache 次之，主存再次之，最慢的是辅存(如磁盘、光盘等)。14.在 Cache 和主存构成的两级存储体系中，主存与 Cache 同时访问，Cache 的存取时间是 100ns，主存的存取时间是 1000ns，如果希望有效(平均)存取时间不超过 Cache 存取时间的 115%，则 Cache 的命中率至少应为_。（分数：2.00）A.90%B.98%C.95%D.99% 解析：解析 假设命中率为 x，则可得到 100x+1000(1-x)100(1+15%)，简单计算后可得结果为x98.33%，因此命中率至少为 99%。15.下列关于多级存储系统的说法中，正确的
22、有_。 多级存储系统是为了降低存储成本 虚拟存储器中主存和辅存之间的数据调动对任何程序员是透明的 CPU 只能与 Cache 直接交换信息，CPU 与主存交换信息也需要经过 Cache（分数：2.00）A仅 B.仅和C.、和D仅解析：解析 主存和辅存之间的数据调动则是由硬件和操作系统共同完成的，仅对应用级程序员透明。CPU 与主存可直接交换信息。16.某一 SRAM 芯片，其容量为 10248 位，除电源和接地端外，该芯片的引脚的最小数目为_。（分数：2.00）A.21 B.22C.23D.24解析：解析 芯片容量为 10248 位，说明芯片容量为 1024B，且以字节为单位存取，也就是说地址
23、线数要 10 根(1024B=2 10 B)。8 位说明数据线要 8 根，加上片选线和读/写控制线(读控制为 RD、写控制为wE)，故而引脚数最小为 10+8+1+2=21 根。 读写控制线也可以共用一根，但题中无 20 选项，做题时应随机应变。17.某存储器容量为 32K16 位，则_。（分数：2.00）A.地址线为 16 根，数据线为 32 根B.地址线为 32 根，数据线为 16 根C.地址线为 15 根，数据线为 16 根 D.地址线为 15 根，数据线为 32 根解析：解析 该芯片 16 位，所以数据线为 16 根，寻址空间 32K=2 15 ，所以地址线为 15 根。18.若 RA
24、M 中每个存储单元为 16 位，则下面所述正确的是_。（分数：2.00）A.地址线是 16 位B.数据线是 16 位 C.指令长度是 16 位D.以上说法都不正确解析：解析 地址线只与 RAM 的存储单元个数有关，而与存储单元的字长无关。19.DRAM 的刷新是以_为单位的。（分数：2.00）A.存储单元B行 C列D.存储字解析：解析 DRAM 的刷新按行进行。20.动态 RAM 采用下列哪种刷新方式时，不存在死时间_。（分数：2.00）A.集中刷新B.分散刷新 C.异步刷新D.都不对解析：解析 集中刷新必然存在死时间。采用分散刷新时，机器的存取周期中的一段用来读/写，另一段用来刷新，故不存在
25、死时间，但是存取周期变长了。异步刷新虽然缩短了死时间，但死时间依然存在。21.下面是有关 DRAM 和 SRAM 存储器芯片的叙述： DRAM 芯片的集成度比 SRAM 高 DRAM 芯片的成本比 SRAM 高 DRAM 芯片的速度比 SRAM 快 DRAM 芯片工作时需要刷新，SRAM 芯片工作时不需要刷新 通常情况下，错误的是_。（分数：2.00）A.和B.和 C.和D.和解析：解析 DRAM 芯片的集成度高于 SRAM，正确；SRAM 芯片的速度高于 DRAM，错误；可以推出DRAM 芯片的成本低于 SRAM，错误；SRAM 芯片工作时不需要刷新，DRAM 芯片工作时需要刷新，正确。22
26、.下列说法中，正确的是_。（分数：2.00）A.半导体 RAM 信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B.DRAM 是易失性 RAM，而 SRAM 中的存储信息是不易失的C.半导体 RAM 是易失性 RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的 D.半导体 RAM 是非易失性的 RAM解析：解析 RAM 属于易失性半导体，故 A、B、D 错误，SRAM 和 DRAM 的区别在于是否需要动态刷新。23.关于 SRAM 和 DRAM，下列叙述中正确的是_。（分数：2.00）A.通常 SRAM 依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为 1，无电荷为 0B.DRAM 依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存
27、储 0 和 1C.SRAM 速度较慢，但集成度稍高；DRAM 速度稍快，但集成度低D.SRAM 速度较快，但集成度稍低；DRAM 速度稍慢，但集成度高 解析：解析 SRAM 依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储 0 和 1，A 错误。DRAM 依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为 1，无电荷为 0，B 错误。SRAM 速度较快，不需要动态刷新，但集成度稍低，功耗大，单位价格高；DRAM 集成度高，功耗小，单位价格较低，需定时刷新，故速度慢，故 C 错误、D 正确。24.某一 DRAM 芯片，采用地址复用技术，其容量为 10248 位，除电源和接地端外，该芯片的引脚数最少是_(读写控制线
28、为两根)。（分数：2.00）A.16B.17 C.19D.21解析：解析 10248 位，故可寻址范围是 1024=2 10 B，按字节寻址。而采用地址复用技术，通过行通选和列通选分行列两次传送地址信号，故而地址线减半为 5 根，数据线仍为 8 根；加上行通选和列通选以及读/写控制线(片选线用行通选代替)4 根，总共是 17 根。 注意 SRAM 和 DRAM 的区别，DRAM 是采用地址复用技术的，而 SRAM 不是。25.某容量为 256MB 的存储器由若干 4M8 位的 DRAM 芯片构成，该 DRAM 芯片的地址引脚和数据引脚总数是_。（分数：2.00）A.19 B.22C.30D.3
29、6解析：解析 4M8 位的芯片数据线应为 8 根，地址线应为 log 2 4M=22 根，而 DRAM 采用地址复用技术，地址线是原来的 1/2，且地址信号分行、列两次传送。地址线数为 22/2=11 根，所以地址引脚与数据引脚的总数为 11+8=19 根，选 A。此题需要注意的是 DRAM 是采用传两次地址的策略，所以地址线为正常的一半，这是很多考生容易忽略的地方。26.下列有关 RAM 和 ROM 的叙述中，正确的是_。 RAM 是易失性存储器，ROM 是非易失性存储器 RAM 和 ROM 都是采用随机存取的方式进行信息访问 RAM 和 ROM 都可用做 Cache RAM 和 ROM 都
30、需要进行刷新（分数：2.00）A.仅和 B.仅和C.仅、和D.仅、和解析：解析 一般 Cache 采用高速的 SRAM 制作，比 ROM 速度快很多，因此是错误的。动态 RAM 需要刷新，而 ROM 不需要刷新，故错误。27.下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中，错误的是_。（分数：2.00）A.信息可读可写，并且读、写速度一样快 B.存储元由 MOS 管组成，是一种半导体存储器C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器解析：解析 闪存是 EEPROM 的进一步发展，可读可写，用 MOS 管的浮栅上有无电荷来存储信息。闪存依然是 ROM
31、的一种，写入时必须先擦除原有数据，故写速度比读速度要慢不少(硬件常识)。闪存是一种非易失性存储器，它采用随机访问方式。现在常见的 SSD 固态硬盘，即由 Flash 芯片组成。28.下列几种存储器中，_是易失性存储器。（分数：2.00）A.Cache B.EPROMC.Flash MemoryD.CD-ROM解析：解析 Cache 由 SRAM 组成，掉电后信息即消失，属于易失性存储器。29.U 盘属于_类型的存储器。（分数：2.00）A.高速缓存B.主存C.只读存储器 D.随机存取存储器解析：解析 U 盘采用 Flash Memory 技术，它是在 EEPROM 的基础上发展起来的，属于 R
32、OM 的一种。由于擦写速度和性价比均很可观，故而其常常可用做辅存。 随机存取与随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)是不同的，只读存储器(ROM)也是随机存取的。因此，支持随机存取的存储器并不一定是随机存取存储器。30.某计算机系统，其操作系统保存于硬盘上，其内存储器应该采用_。（分数：2.00）A.RAMB.ROMC.RAM 和 ROM D.均不完善解析：解析 因计算机的操作系统保存于硬盘上，所以需要 BIOS 的引导程序将操作系统引导到主存(RAM)中，而引导程序则固化于 ROM 中。31.下列说法正确的是_。（分数：2.00）A.EPROM 是可改写的，故而可
33、以作为随机存储器B.EPROM 是可改写的，但不能作为随机存储器 C.EPROM 是不可改写的，故而不能作为随机存储器D.EPROM 只能改写一次，故而不能作为随机存储器解析：解析 EPROM 可多次改写，但改写较为繁琐，写入时间过长，且改写的次数有限，且速度较慢，因此不能作为需要频繁读写的 RAM 使用。32.下列哪些是动态半导体存储器的特点_。 在工作中存储器内容会产生变化 每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍 一次完整的刷新过程需要占用两个存储周期 一次完整的刷新过程只需要占用一个存储周期（分数：2.00）A.、B.、C.、 D.只有解析：解析 动态半导体存储器是利用电容存储电荷的
34、特性记录信息，由于电容会放电，必须在电荷流失前对电容充电，即刷新。方法是每隔一定时间，根据原存内容重新写入一遍，故错误。这里的读并不是把信息读入 CPU，存也不是从 CPU 向主存存入信息，它只是把信息读出，通过一个刷新放大器后又重新存回到存储单元里去，而刷新放大器是集成在 RAM 上的。因此，这里只进行了一次访存，也就是占用一个存取周期，、正确，错误。33.下列存储器中，在工作期间需要周期性刷新的是_。（分数：2.00）A.SRAMB.SDRAM C.ROMD.FLASH解析：解析 DRAM 使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。SDRAM 表
35、示同步动态随机存储器。二、综合应用题(总题数：4，分数：34.00)34.某个两级存储器系统的平均访问时间为 12ns，该存储器系统中顶层存储器的命中率为 90%，访问时间是 5ns，问：该存储器系统中底层存储器的访问时间是多少(假设采用同时访问两层存储器的方式)? （分数：4.00）_正确答案：()解析：设底层存储器访问时间为 T，则有 12ns=(0.905ns)+(0.10T) 求得 T=75ns。CPU 执行一段程序时，Cache 完成存取的次数为 1900 次，主存完成存取的次数为 100 次，已知 Cache 存取周期为 50ns，主存存取周期为 250ns。设主存与 Cache
36、同时访问，试问：（分数：10.00）(1).Cache/主存系统的效率。（分数：5.00）_正确答案：()解析：命中率 H=N c /(N c +N m )=1900/(1900+100)=0.95 主存访问时间与 Cache 访问时间的倍率：r=T m /T c =250ns/50ns=5 Cache 主存系统的效率：e=访问 Cache 的时间/平均访存时间 访问效率：e=1/H+(1-H)r=1/0.95+(1-0.95)*5=83.3%(2).平均访问时间。（分数：5.00）_正确答案：()解析：平均访问时间：T a =T c /e=50ns/0.833=60ns在显示适配器中，用于存
37、放显示信息的存储器称为刷新存储器，它的重要性能指标是带宽。具体工作中，显示适配器的多个功能部分要争用刷新存储器的带宽。设总带宽 50%用于刷新屏幕，保留 50%带宽用于其他非刷新功能，且采用分辨率为 1024768 像素，颜色深度为 3B，刷新频率为 72Hz 的工作方式。（分数：10.00）(1).试计算刷新存储器的总带宽。（分数：5.00）_正确答案：()解析：因为刷新带宽 W1=分辨率像素点颜色深度刷新速率 =10247683B72/s =169869KB/s 所以刷新总带宽 W0=W1(W0/W1) =169869KB/s100/50=339738KB/s =339.738MB/s (
38、这里 1K=1000)(2).为达到这样高的刷新存储器带宽，应采取何种技术措施?（分数：5.00）_正确答案：()解析：为了提高刷新存储器带宽，可采用以下技术：采用高速 DRAM 芯片；采用多体交叉存储结构；刷新存储器至显示控制器的内部总线宽度加倍；采用双端口存储器将刷新端口和更新端口分开。一个 1K4 位的动态 RAM 芯片，若其内部结构排列成 6464 形式，且存取周期为 0.1s。（分数：10.00）(1).若采用分散刷新和集中刷新(即异步刷新)相结合的方式，刷新信号周期应取多少?（分数：5.00）_正确答案：()解析：采用分散和集中刷新相结合的方式，对排列成 6464 的存储芯片，需在 2ms 内将 64 行各刷新一遍，则刷新信号的时间间隔为 2ms/64=31.25s，故可取刷新周期为31.25=31s。(2).若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间?死时间率是多少?（分数：5.00）_正确答案：()解析：采用集中刷新，对 6464 的芯片，需在 2ms 内集中 64 个存取周期刷新 64 行。题中给出的存取周期为 0.1s，即在 2ms 内集中 6.4s 刷新，则死时间率为(6.4/2000)100%=0.32%。
