1、复旦大学电子线路与集成电路设计考研真题 2009 年及答案解析(总分：50.00，做题时间：90 分钟)一、B/B(总题数：1，分数：10.00)1.判断下图所示放大电路能否正常放大交流信号。如果不能，请说明理由。 （分数：10.00）_二、B/B(总题数：1，分数：10.00)2.如图 1(a)为一阶高通滤波电路，其幅频特性如图 1(b)所示，己知 C=0.05F，求 R1和 Rf的值，并画出相频曲线。（分数：10.00）_三、B/B(总题数：1，分数：20.00)在图 1 所示电路中，已知 VT1的参数为： ，U GS(th)=3V；VT 2、VT 3的参数为：=200，U BE(on)=
2、-0.7V，其余可忽略。其他参数都已标在电路中。求：（分数：20.00）(1).输入电阻 ri、输出电阻 ro和中频电压增益 A（分数：10.00）_(2).电路下截止频率 f（分数：10.00）_四、B/B(总题数：1，分数：10.00)3.如下图所示，设运放为理想运放，试说明电路的功能；若电路满足条件 Rf/R1=R2/R3，证明： 。（分数：10.00）_复旦大学电子线路与集成电路设计考研真题 2009 年答案解析(总分：50.00，做题时间：90 分钟)一、B/B(总题数：1，分数：10.00)1.判断下图所示放大电路能否正常放大交流信号。如果不能，请说明理由。 （分数：10.00）_
3、正确答案：(a)不能。假设晶体管在放大区，则：*，I CQ=I BQ143mA由此可得：U CQ=VCC=ICQR=-133V*-5+0.7=-4.3V这与 UBQU CQ矛盾，因此晶体管不能工作在放大区。(b)不能，理由同上。R B过小或 RC过小。(c)不能。*，U DS=VDD-IDRDV TH=UGS。(d)可以，耗尽型场效应管。)解析：二、B/B(总题数：1，分数：10.00)2.如图 1(a)为一阶高通滤波电路，其幅频特性如图 1(b)所示，己知 C=0.05F，求 R1和 Rf的值，并画出相频曲线。（分数：10.00）_正确答案：(由集成运放电路的“虚断”和“虚短”分析，可知：*
4、因此有：*所以有：*由幅频特性上的(200，-12)，(210 3，5)两点，可得：*，零点角频率为 0，所以有：*其中，*，可画出相频曲线如图 2 所示。*图 2)解析：三、B/B(总题数：1，分数：20.00)在图 1 所示电路中，已知 VT1的参数为： ，U GS(th)=3V；VT 2、VT 3的参数为：=200，U BE(on)=-0.7V，其余可忽略。其他参数都已标在电路中。求：（分数：20.00）(1).输入电阻 ri、输出电阻 ro和中频电压增益 A（分数：10.00）_正确答案：(电路的静态等效电路如图 2 所示，可知：*图 2假设晶体管都工作在放大电路作用区(FET 饱和，
5、NPN 放大)，则有：*因此有：U DQ=VCC-IDQR3=12-70.5=8.5VU GSQ+UGS(th)=7V所以，VT 1场效应管工作在饱和区，跨导为：*由 IEQ2R4-UBE(on)+UDQ=VCC，可得：*UEQ2I BQ2R5=6VU BQ2=UDQ所以，VT 2工作在放大区，*。同理，可得：I EQ3R6-UBE(on)+UCQ2=VCC*UCQ3=0U BQ2=UCQ2=6V所以，VT 3工作在放大区，*。电路是三级放大器。第一级(共源放大)：A u1=-gm1R3R i2，R i1=R1R 2=*，R o1=R3第二级(共射放大)：*，R i2=rbe2，R o2=R5
6、第三级(共集放大)：A u31，R i3=rbe3+(1+)R 6，*所以输入电阻为：r i=Ri1=0.3M中频电压增益为：*输出电阻为：*)解析：(2).电路下截止频率 f（分数：10.00）_正确答案：(电路频率响应主要是 VT2的发射极偏置形成回路，影响放大增益，所以：*因为*，*，所以电路下截止频率为：*)解析：四、B/B(总题数：1，分数：10.00)3.如下图所示，设运放为理想运放，试说明电路的功能；若电路满足条件 Rf/R1=R2/R3，证明： 。（分数：10.00）_正确答案：(理想运放可用“虚断”和“虚短”分析电路，可得：UA=UB，*，*因为*，所以：*又 Rf/R1=R2/R3，即 RfR3=R1R2，所以：*可见，电路的功能是电压转换成电流，即电压源变成电流源。)解析：
