1、电子技术基础自考题-5 及答案解析(总分：100.00，做题时间：90 分钟)一、单项选择题(总题数：15，分数：30.00)1.N型半导体中的多数载流子是( )A空穴 B自由电子C施主离子 D受主离子（分数：2.00）A.B.C.D.2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )A温度 B光照C掺入杂质的数量 D本征激发的程度（分数：2.00）A.B.C.D.3.在某放大电路中，测得一正常工作的三极管三个电极的静态对地电位分别为 0V、-10V、-9.3V，则这只三极管是( )ANPN 型硅管 BNPN 型锗管CPNP 型硅管 DPNP 型锗管（分数：2.00）A.B.C.D.4.若三
2、极管的发射结、集电结均反偏，则其将工作于( )A放大区 B饱和区C截止区 D击穿区（分数：2.00）A.B.C.D.5.杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于( )A掺杂浓度 B制造工艺C晶体结构 D温度（分数：2.00）A.B.C.D.6.PN结正向偏置时所呈现的特点是( )A形成较小的正向电流，呈现较小的正向电阻B形成较小的正向电流，呈现较大的正向电阻C形成较大的正向电流，呈现较小的正向电阻D形成较大的正向电流，呈现较大的正向电阻（分数：2.00）A.B.C.D.7.构成集成运算放大器输入级的电路，一般是( )A共发射极放大电路 B共基极放大电路C共集电极放大电路 D差动放大电路（分数：2.
3、00）A.B.C.D.8.下列基本放大电路中，既能放大电压信号又能放大电流信号的是( )A共发射极放大电路 B共基极放大电路C共集电极放大电路 D共漏极放大电路（分数：2.00）A.B.C.D.9.一般来说，集成运算放大电路的输出级应有( )A足够大的电压放大倍数 B足够大的输出功率和较小的输出电阻C稳定的输出电流和较小的输出电阻 D稳定的输出电压和较大的输出电阻（分数：2.00）A.B.C.D.10.三极管 值是反映( )能力的参数。A电压控制电压 B电流控制电流C电压控制电流 D电流控制电压（分数：2.00）A.B.C.D.11.由 NPN型管构成的基本共射放大电路，当输入 ui为正弦波时
4、，在示波器上观察输出 uo的波形如图所示，则该电路产生了( )（分数：2.00）A.B.C.D.12.放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是( )ANPN 型晶体管 B结型 P沟道 FETCN 沟道增强型 MOS管 DN 沟道耗尽型 MOS管（分数：2.00）A.B.C.D.13.在双端输入的差动放大电路中，已知 ui1=12mV，u i2=6mV，则共模输入信号为( )A-18mV B-9mVC9mV D18mV（分数：2.00）A.B.C.D.14.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡电路中的( )A正反馈电路环节 B稳幅环节C基本放大电路环节 D选频网络环节（分数：2.00
5、）A.B.C.D.15.单相桥式整流电路输出平均电压为 10V，负载 RL=20，则变压器二次侧电压有效值为( )A10V B14.14VC11.1V D22.2V（分数：2.00）A.B.C.D.二、填空题(总题数：9，分数：9.00)16.某处于放大状态的晶体管，已知 IB=0.02mA，=50，忽略其穿透电流，则 IE= 1mA。（分数：1.00）填空项 1:_17.在共射、共基、共集、共漏几种基本组态的放大电路中，输出电压与输入电压相位相反的是 1 放大电路。（分数：1.00）填空项 1:_18.负反馈有 4种组态，若要求输入电阻低，输出电压稳定，则在放大电路中应引入 1 负反馈。（分
6、数：1.00）填空项 1:_19.阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种耦合方式中， 1 耦合的放大电路存在零点漂移。（分数：1.00）填空项 1:_20.将三种组态的基本放大电路进行比较，输入电阻最大的是共 1 极放大电路。（分数：1.00）填空项 1:_21.理想集成运放开环输入电阻 ri= 1。（分数：1.00）填空项 1:_22.当要求振荡频率比较高时，产生正弦波的办法常常是采用 1 振荡电路。（分数：1.00）填空项 1:_23.单相桥式整流电路接电阻负载，已知变压器二次侧电压 u2=172.5sin(t)V，则输出电压平均值 Uo(AV)为 1V。（分数：1.00）填空项 1:_24.
7、题 24图所示，由三端集成稳压器组成的电路中，已知 IW=5mA，R=5，则负载 RL上的 Io=_A。（分数：1.00）填空项 1:_三、分析计算题(总题数：5，分数：40.00)25.图为分压式偏置稳定放大电路，若 rbe=1.6k，=50，求电压放大倍数 Au，若射极旁路电容 CE开路，则电压放大倍数变为多大?（分数：8.00）_26.下图所示电路中，运放为理想元件。要求：(1)指出 A1、A 2各构成何种运算电路；(2)求出 uo与 ui1、u i2之间的运算关系式。（分数：8.00）_27.电路如图所示，已知 RF1=90k，R 1=30k，R F2=R2=R3=60k。要求：(1)
8、指出集成运放 A1和 A2各构成何种基本运算电路；(2)写出 uo的表达式，若 ui1=2V，u i2=1V，计算 uo；(3)求集成运放 A，反相输入端的电位 u-。（分数：8.00）_28.理想运放构成的电路如图所示。要求：(1)指出集成运放构成何种运算电路；(2)写出 uo与 ui的关系式；(3)若 R1=R3=30k，R 2=R4=60k，u i=3V，求 uo；(4)指出电路中引入的反馈极性及组态。（分数：8.00）_29.电路如图所示，已知=30，U CC=12V，R B1=7.5k，R B2=2.5k，R C=2k，R E=1k，R L=1k，C E=100F，试求：(1)静态工
9、作点 Q(IBQ、I CQ、U CEQ)；(2)电压放大倍数 Au；(3)去掉 CE后，放大电路的电压放大倍数；(4)放大电路相应的输入电阻和输出电阻。（分数：8.00）_四、设计题(总题数：3，分数：21.00)30.电路如图(a)所示，运放为理想元件。要求：(1)写出 uo与 ui的运算关系式；(2)已知 RF=200k，C=25F，图(a)电路的输入波形如图(b)所示，画出 uo端对应的波形。（分数：7.00）_31.在下图所示的四种基本组态放大电路框图中，选出两种组成两级放大电路，满足输入电阻低，输出电阻低，A u1Au21。要求：(1)画出满足要求的两级放大电路的框图；(2)说明两级
10、放大电路框图设计的理由。（分数：7.00）_32.电路如图所示，已知双向稳压管 VZ的稳定电压 Uz=6V，正向导通电压为 0.7V，画出电压传输特性。（分数：7.00）_电子技术基础自考题-5 答案解析(总分：100.00，做题时间：90 分钟)一、单项选择题(总题数：15，分数：30.00)1.N型半导体中的多数载流子是( )A空穴 B自由电子C施主离子 D受主离子（分数：2.00）A.B. C.D.解析：解析 本题主要考查的知识点为 N型半导体的特点。要点透析 N 型半导体是在纯净半导体材料中掺入少量五价杂质元素得到的，由于半导体材料原子是四价的，每掺入一个杂质原子，就会带来一个不受共价
11、键束缚的自由电子，导致半导体中自由电子数量远远多于空穴数量，所以自由电子是 N型半导体中的多数载流子。施主离子和受主离子是由杂质原子失去或得到一个电子而形成的不可移动的空间电荷，不是载流子。2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )A温度 B光照C掺入杂质的数量 D本征激发的程度（分数：2.00）A.B.C. D.解析：解析 本题主要考查的知识点为杂质半导体中，影响多数载流子浓度的因素。要点透析 杂质半导体中多数载流子主要是由于掺入三价元素或五价元素而产生的，虽然本征激发也会产生一些载流子，但数量远远小于掺杂所产生的载流子的数量。3.在某放大电路中，测得一正常工作的三极管三个电极的静
12、态对地电位分别为 0V、-10V、-9.3V，则这只三极管是( )ANPN 型硅管 BNPN 型锗管CPNP 型硅管 DPNP 型锗管（分数：2.00）A. B.C.D.解析：解析 本题主要考查的知识点为由三极管各电极的静态对地电位判断其类型。要点透析 由题中条件可知，集电极电位为 0V。在三个电极中，集电极电位最高，由集电结反向偏置可知集电区一定为 N型区；再由发射结正向偏置时电压为-9.3V-(-10)V=0.7V 可知，此管为 NPN型硅管。4.若三极管的发射结、集电结均反偏，则其将工作于( )A放大区 B饱和区C截止区 D击穿区（分数：2.00）A.B.C. D.解析：解析 本题主要考
13、查的知识点为三极管处在截止区时的偏置特征。要点透析 根据三极管的输出特性可知，当三极管的发射结和集电结均反向偏置时，三极管处于截止状态。5.杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于( )A掺杂浓度 B制造工艺C晶体结构 D温度（分数：2.00）A.B.C.D. 解析：解析 本题主要考查的知识点为杂质半导体中，影响少数载流子浓度的因素。要点透析 在杂质半导体中，少数载流子完全由本征激发产生，其浓度取决于半导体中本征激发的剧烈程度，由于温度是影响本征激发剧烈程度的主要因素，故杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于温度。6.PN结正向偏置时所呈现的特点是( )A形成较小的正向电流，呈现较小的正向电阻B形成
14、较小的正向电流，呈现较大的正向电阻C形成较大的正向电流，呈现较小的正向电阻D形成较大的正向电流，呈现较大的正向电阻（分数：2.00）A.B.C. D.解析：解析 本题主要考查的知识点为 PN结正向偏置时的特点。要点透析 PN 结接正向电压时，即 P区接电源正极，N 区接电源负极，称为正向偏置。当 PN结正向偏置时，由于内部多子扩散运动形成的电流增强，在外电路上形成一个较大的正向电流，此时 PN结表现为正向电阻较小。7.构成集成运算放大器输入级的电路，一般是( )A共发射极放大电路 B共基极放大电路C共集电极放大电路 D差动放大电路（分数：2.00）A.B.C.D. 解析：解析 主要考查的知识点
15、为构成集成运算放大器输入级的电路。要点透析 集成运算放大器级间采用直接耦合方式，易产生零点漂移，而克服零点漂移最常用的电路是差动放大电路，故集成运算放大器一般采用差动放大电路作为输入级。8.下列基本放大电路中，既能放大电压信号又能放大电流信号的是( )A共发射极放大电路 B共基极放大电路C共集电极放大电路 D共漏极放大电路（分数：2.00）A. B.C.D.解析：解析 主要考查的知识点为共发射极放大电路的特点。要点透析 共发射极放大电路既能放大电压信号又能放大电流信号。9.一般来说，集成运算放大电路的输出级应有( )A足够大的电压放大倍数 B足够大的输出功率和较小的输出电阻C稳定的输出电流和较
16、小的输出电阻 D稳定的输出电压和较大的输出电阻（分数：2.00）A.B. C.D.解析：解析 本题主要考查的知识点为集成运算放大电路输出级的特点。要点透析 放大电路的输出级应有较强的带负载能力。要使一个电路有较强的带负载能力，就必须有较大的输出电压和较大的输出电流。要在一定输出电压下有较大的输出电流，就必须有较小的输出电阻。因此选项 B正确。10.三极管 值是反映( )能力的参数。A电压控制电压 B电流控制电流C电压控制电流 D电流控制电压（分数：2.00）A.B. C.D.解析：11.由 NPN型管构成的基本共射放大电路，当输入 ui为正弦波时，在示波器上观察输出 uo的波形如图所示，则该电
17、路产生了( )（分数：2.00）A.B.C.D. 解析：解析 本题主要考查的知识点为三极管非线性失真的类型。要点透析 图示中输出电压波形上端一部分被削掉，即发生了截止失真。12.放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是( )ANPN 型晶体管 B结型 P沟道 FETCN 沟道增强型 MOS管 DN 沟道耗尽型 MOS管（分数：2.00）A.B.C.D. 解析：13.在双端输入的差动放大电路中，已知 ui1=12mV，u i2=6mV，则共模输入信号为( )A-18mV B-9mVC9mV D18mV（分数：2.00）A.B.C. D.解析：解析 本题主要考查的知识点为双端输入的差动放大电路共模输
18、入信号的计算。要点透析 共模输入信号14.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡电路中的( )A正反馈电路环节 B稳幅环节C基本放大电路环节 D选频网络环节（分数：2.00）A.B.C.D. 解析：解析 本题主要考查的知识点为选频网络的作用。要点透析 由于电路的扰动信号是非正弦的，它由若干不同频率的正弦波组合而成，因此要想使电路获得单一频率的正弦波，就应有一个选频网络，选出其中一个特定频率的信号，使其满足自激振荡的相位条件和幅值条件，从而产生振荡。15.单相桥式整流电路输出平均电压为 10V，负载 RL=20，则变压器二次侧电压有效值为( )A10V B14.14VC11.1V D
19、22.2V（分数：2.00）A.B.C. D.解析：解析 本题主要考查的知识点为变压器二次侧电压有效值的计算。要点透析 单相桥式整流电路接电阻负载时，输出电压平均值二、填空题(总题数：9，分数：9.00)16.某处于放大状态的晶体管，已知 IB=0.02mA，=50，忽略其穿透电流，则 IE= 1mA。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：1.02）解析：17.在共射、共基、共集、共漏几种基本组态的放大电路中，输出电压与输入电压相位相反的是 1 放大电路。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：共射）解析：18.负反馈有 4种组态，若要求输入电阻低，输出电压稳定，则在放大电路中应
20、引入 1 负反馈。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：电压并联(或并联电压)）解析：19.阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种耦合方式中， 1 耦合的放大电路存在零点漂移。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：直接）解析：20.将三种组态的基本放大电路进行比较，输入电阻最大的是共 1 极放大电路。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：集）解析：21.理想集成运放开环输入电阻 ri= 1。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：）解析：22.当要求振荡频率比较高时，产生正弦波的办法常常是采用 1 振荡电路。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：LC）解析：2
21、3.单相桥式整流电路接电阻负载，已知变压器二次侧电压 u2=172.5sin(t)V，则输出电压平均值 Uo(AV)为 1V。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：110）解析：24.题 24图所示，由三端集成稳压器组成的电路中，已知 IW=5mA，R=5，则负载 RL上的 Io=_A。（分数：1.00）填空项 1:_ （正确答案：1.005）解析：三、分析计算题(总题数：5，分数：40.00)25.图为分压式偏置稳定放大电路，若 rbe=1.6k，=50，求电压放大倍数 Au，若射极旁路电容 CE开路，则电压放大倍数变为多大?（分数：8.00）_正确答案：(当 CE开路时， )解析：
22、26.下图所示电路中，运放为理想元件。要求：(1)指出 A1、A 2各构成何种运算电路；(2)求出 uo与 ui1、u i2之间的运算关系式。（分数：8.00）_正确答案：(1)A 1构成反相比例运算电路，A 2构成减法运算电路(2)由)解析：27.电路如图所示，已知 RF1=90k，R 1=30k，R F2=R2=R3=60k。要求：(1)指出集成运放 A1和 A2各构成何种基本运算电路；(2)写出 uo的表达式，若 ui1=2V，u i2=1V，计算 uo；(3)求集成运放 A，反相输入端的电位 u-。（分数：8.00）_正确答案：(1)A 1构成反相比例运算电路，A 2构成反相求和(加法
23、)运算电路。(2) )解析：28.理想运放构成的电路如图所示。要求：(1)指出集成运放构成何种运算电路；(2)写出 uo与 ui的关系式；(3)若 R1=R3=30k，R 2=R4=60k，u i=3V，求 uo；(4)指出电路中引入的反馈极性及组态。（分数：8.00）_正确答案：(1)同相比例运算电路(2) )解析：29.电路如图所示，已知=30，U CC=12V，R B1=7.5k，R B2=2.5k，R C=2k，R E=1k，R L=1k，C E=100F，试求：(1)静态工作点 Q(IBQ、I CQ、U CEQ)；(2)电压放大倍数 Au；(3)去掉 CE后，放大电路的电压放大倍数；
24、(4)放大电路相应的输入电阻和输出电阻。（分数：8.00）_正确答案：( (2)(3) )解析：四、设计题(总题数：3，分数：21.00)30.电路如图(a)所示，运放为理想元件。要求：(1)写出 uo与 ui的运算关系式；(2)已知 RF=200k，C=25F，图(a)电路的输入波形如图(b)所示，画出 uo端对应的波形。（分数：7.00）_正确答案：(1)(2) )解析：31.在下图所示的四种基本组态放大电路框图中，选出两种组成两级放大电路，满足输入电阻低，输出电阻低，A u1Au21。要求：(1)画出满足要求的两级放大电路的框图；(2)说明两级放大电路框图设计的理由。（分数：7.00）_正确答案：(1)设计的两级放大电路框图如图。(2)共基极放大电路输入电阻很低，其 ，而共集电极放大电路的输出电阻很低，可见图可以满足 ri低，r o低的要求。共基放大电路电压放大倍数 ，可以使 Au11，而共集电极放大电路的电压放大倍数 0A u21，所以答 31图可以满足 Au1Au21 的要求。)解析：32.电路如图所示，已知双向稳压管 VZ的稳定电压 Uz=6V，正向导通电压为 0.7V，画出电压传输特性。（分数：7.00）_正确答案：( )解析：
