GB T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物.pdf
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GB T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物.pdf
1、1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片形多晶或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,根据样品重量计算结果。使用的样品重量为50 g300 g,检测限为0.01 ng/g。1.4酸的强度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个试验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。1.5该试验方法提出了一种特定的样品尺寸、酸组成、腐蚀周期、试验环境
2、和仪器方案,这些参数可以调整,但可能影响金属的回收效率及滞留量。该方法适用于重量为25 g5 000 g的样品的测定,为达到仲裁的目的,该试验方法规定样品重量为300 g。该试验方法在干扰和结果的偏差方面做了详细说明。1.6该试验方法详细说明了用于分析酸提取痕量金属含量的石墨炉原子吸收光谱法的使用。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪。1.7方法的检测限和偏差取决于酸提取过程的效率、样品尺寸、方法干扰、每个元素的吸收谱及仪器灵敏度、背景和空白值。1.8该方法是用热酸来腐蚀掉硅表面,腐蚀剂是有害的,操作必须在通风橱中进行,整个过程中必须非常小心。氢氟酸溶液非常危险,不熟悉专门防护措施的人不能使用。